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SUM40N02-12P
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) 175 _ C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( W )
0.012 @ V GS = 10 V
20
0.026 @ V GS = 4.5 V
I D (A) a
40 a
40 a
Q g (Typ)
7 7.5 5
FEATURES
D TrenchFET r Power MOSFET
D 175 _ C Junction Temperature
D Optimized for High-Side Synchronous Rectifier
D 100% R g Tested
APPLICATIONS
D Desktop or Server CPU Core
D Game Station
TO-263
DRAIN connected to TAB
G
D
G
D S
Top View
S
Ordering Information: SUM40N02-12P
SUM40N02-12P—E3
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
" 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 _ C)
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 _ C
T C = 100 _ C
T C = 25 _ C
T A = 25 _ C d
I D
I DM
P D
T J , T stg
40 a
40 a
90
83 c
3.75
? 55 to 175
A
W
_ C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB
Junction-to-Case
Mounted) d
R thJA
R thJC
40
1.8
_ C/W
Notes
a. Package limited.
b. Duty cycle v 1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
Document Number: 72111
S-42351—Rev. D, 20-Dec-04
www.vishay.com
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